雙極性電晶體(BJT)之工作原理與直流分析

📝 歷屆考古題

• 114年 初等考試 第6題
  一 PNP 雙極性接面電晶體，射-基極電壓 $V_{EB} = 0.6\text{ V}$ 時集極電流 $I_C = 0.01\text{ mA}$，熱電壓 $V_T = 0.0259\text{ V}$…
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• 114年 初等考試 第9題
  有關絕緣閘極雙極性電晶體（IGBT）之特性，下列何者正確？
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• 114年 初等考試 第12題
  如圖所示電路，$V_{CC} = 7\text{ V}$，$V_{CE} = 7\text{ V}$，PNP 雙極性接面電晶體工作於何區？
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• 114年 初等考試 第23題
  圖示電路，$V_{CC} = 10\text{ V}$，$R_{B1} = R_{B2} = 100\text{ k}\Omega$，$R_C = 5\text{ k}\Omega$，$R_E = 2\text{ k}\Omega$…
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• 114年 初等考試 第24題
  有關溫度對 BJT 電路之影響，下列敘述何者錯誤？
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• 114年 初等考試 第25題
  有一如圖之 BJT 電路，若 $V_{BE} = 0.7\text{ V}$，$V_{CE} = 4\text{ V}$，$\beta = 99$，則 R 應為何？
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• 113年 初等考試 第5題
  雙極性接面電晶體在共射極組態且工作於主動區情況下，對集極電流影響最大的是下列何者？
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• 113年 初等考試 第6題
  雙極性接面電晶體（BJT）在未接偏壓情況下，其基-射極空乏區厚度為 A，基-集極空乏區厚度為 B，則其大小關係下列何者正確？
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• 113年 初等考試 第7題
  圖示之電路，雙極性電晶體 β=100，基-射極導通電壓 VBE=0.7 V，集-射極電壓 VCE約為何？
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• 113年 初等考試 第23題
  如圖所示之電路，若 NPN 電晶體 β=100、VBE=0.7 V，下列敘述何者正確？
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• 113年 初等考試 第24題
  有一如圖之 BJT 放大器，若 VBE=0.7 V，則有關對其輸入迴路特性之敘述，下列何者錯誤？
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• 113年 初等考試 第25題
  對於圖中的偏壓電路，RC=20 kΩ、RB=800 kΩ、VCC=10.7 V、VBE=0.7 V、IB=5 μA，其 β 最接近值為何？
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• 113年 初等考試 第28題
  若雙極性接面電晶體（BJT）工作在主動區（Active Region）的電流放大率為 β，下列敘述何者正確？
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• 112年 初等考試 第4題
  雙極性接面電晶體（BJT）基極的厚度很薄，主要考量為何？
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• 112年 初等考試 第5題
  圖示之電路，雙極性電晶體 $\beta = 250$，基-射極導通電壓 $V_{BE} = 0.7\text{ V}$，則其集-射極電壓 $V_{CE}$ 約為何？
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• 112年 初等考試 第6題
  有一雙極性接面電晶體的電路符號如圖所示，當在順向主動區操作時，下列何者正確？
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• 112年 初等考試 第9題
  如圖所示，電晶體 Q1 和 Q2 的臨界電壓（threshold voltage）分別為 $V_{t1}$ 和 $V_{t2}$，若 $V_{t2}$ 變大且 $V_{t1}$ 保持不變。$v_I = V_{DD}$…
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• 112年 初等考試 第18題
  典型的功率電晶體 2N3055，其金屬外殼為何？
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• 112年 初等考試 第23題
  有一如圖之 BJT 放大器，若 BJT 之 $V_{CE} = 1\text{ V}$，則有關對其輸出迴路特性之敘述，下列何者錯誤？
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• 112年 初等考試 第25題
  圖示電路，下列何電阻提供直流偏壓的負回授？
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• 111年 初等考試 第2題
  有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳 $V_{I1}$、$V_{I2}$ 的電壓波形如下所示，$V_{CC} = 5 \text{ V}$，$R_1 = R_2 = 1 \text{ k}\Omega$…
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• 111年 初等考試 第12題
  關於 BJT 電晶體之敘述，下列何者正確？
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• 111年 初等考試 第22題
  電路上某 npn 雙極性接面電晶體（BJT）工作在飽和區（Saturation Region），已知電路之電源電壓為 $8 \text{ V}$，下列何者正確？
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• 111年 初等考試 第23題
  某 $\beta = 100$ 之 npn 雙極性接面電晶體，若 $I_B = 10 \text{ \mu A}$，下列何者顯示電晶體工作在飽和區（Saturation Region）？
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• 111年 初等考試 第27題
  雙極性電晶體（BJT）若工作在截止區時：
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• 111年 初等考試 第28題
  矽雙極性電晶體（BJT）工作在飽和區模式時，其基射極之間的電位差約為：
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• 111年 初等考試 第30題
  圖示為一種採用集極回授偏壓電路的電晶體共射極放大器，輸出電壓（$v_o$）正半週的最大擺幅恰為 $5 \text{ V}$ 時，電阻 $R$ 約為多少？電晶體基-射極的導通定電壓固定為 $0.8 \text{ V}$…
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• 111年 初等考試 第31題
  如圖採用分壓偏壓電路的電晶體放大電路中，在集極端直接耦接有一 $3.5 \text{ k}\Omega$ 的負載，電晶體基-射極的導通定電壓為 $0.8 \text{ V}$ 下，求該電晶體於集極端的…
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• 110年 初等考試 第25題
  若 PNP 型雙極性電晶體（BJT）偏壓在主動區 $I_B = 0.05\text{mA}$，$I_E = 5\text{mA}$，則電流增益為：
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• 110年 初等考試 第26題
  電晶體放大電路及其輸入特性曲線如圖，偏壓電源為 $V_{CC}=10\text{ V}$ 及 $V_{BB}=1.6\text{ V}$，$R_1=1.5\text{ k}\Omega$、$R_2=50\text{ k}\Omega$…
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• 110年 初等考試 第28題
  如圖所示的電晶體共射極放大器，輸出交流信號的振幅為 0.6 V，$\beta$ 及 $R_1$、$R_2$ 均變成原來的 1.5 倍，電晶體其他特性維持不變，輸出交流信號的振幅變為多少？以上改變仍使放…
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• 110年 初等考試 第30題
  圖示電晶體在主動區工作，電晶體的 $\beta = 99$，$V_{BE} = 0.7\text{ V}$，則電晶體的集極電壓 $V_C$ 約為：
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• 110年 初等考試 第31題
  在雙極接面電晶體的共射（CE）、共基（CB）、共集（CC）三種組態中，何者之電流增益小於 1？
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• 109年 初等考試 第6題
  有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳 $V_{I1}$、$V_{I2}$ 的電壓波形如下所示，$V_{CC} = 5\text{ V}$，$R_1 = R_2 = 1\text{ k}\Omega$…
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• 109年 初等考試 第7題
  如圖所示為一 CMOS 反相器，電晶體之 $\mu_n C_{ox} = \mu_p C_{ox}$；兩電晶體之 W/L 相同；$V_{tn} = |V_{tp}|$。反相器之負載為電容 $C_L$。…
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• 109年 初等考試 第8題
  一個 NPN 雙極性電晶體，若 $\beta = 50$ 且操作在主動作用區（active region），下列何者正確？
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• 109年 初等考試 第23題
  圖示電路，若 $V_{CC} = 10\text{ V}$，$V_{CE} = 3\text{ V}$，則此電晶體的工作區應為何？
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• 109年 初等考試 第32題
  若一個雙極性電晶體（BJT）在主動區操作模式下，射極電流為 5.05 mA，基極電流為 0.05 mA，則其 $\beta$ 值為：
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• 108年 初等考試 第28題
  如圖所示直流偏壓電路的電晶體放大器中，電晶體的輸出直流電壓工作點為 $4\text{ V}$ ，電晶體 $\beta$ 值變為原來的2倍而其他特性參數不變，則$R_B$ 必須變為原來的多少倍才能使輸出…
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• 107年 初等考試 第5題
  有一以矽材料所製的互補式金氧半場效電晶體（Si-CMOSFET）電路及輸入電壓 $v_I$ 的波形如下所示，$V_{DD} = 5\text{ V}$，假設兩個電晶體 $Q_P$、$Q_N$ 的特性參…
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• 107年 初等考試 第6題
  有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳 $V_{I1}$、$V_{I2}$ 的電壓波形如下所示，$V_{CC} = 5\text{ V}$，$R_1 = R_2 = 1\text{ k}\Omega$…
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• 107年 初等考試 第8題
  如圖中 NPN 雙極性電晶體，$\beta = 100$，電晶體基射極的順偏電壓設為 $0.8\text{ V}$，飽和時的集射極電壓為 $0.3\text{ V}$。問此電路集極電流對基極電流的比值…
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• 107年 初等考試 第23題
  如圖所示電路，若 $V_{CC} = 12\text{ V}$，$V_{CE} = 12\text{ V}$，則此電晶體的工作區為何？
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• 107年 初等考試 第27題
  如圖所示之電路，假定 $\beta = 100$ 且 $V_{BE(on)} = 0.7\text{ V}$，若電晶體之直流工作點 $V_{CEQ} = 5\text{ V}$ 且 $I_{CQ} = 10\text{ mA}$…
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• 107年 初等考試 第28題
  如圖所示之共射極放大器，$I_C = 1\text{ mA}$ 且 $V_{BE} = 0.8\text{ V}$。假設電晶體於飽和時之 $V_{CE(sat)} = 0.3\text{ V}$，請問…
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• 107年 初等考試 第31題
  若 PNP 型雙極性電晶體（BJT）之 $I_B = 0.1\text{ mA}$，$I_E = 6\text{ mA}$，且 $\beta = 99$，則：
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• 106年 初等考試 第7題
  有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳 $v_{i1}$、$v_{i2}$ 的電壓波形如圖所示，$V_{CC} = 5\text{ V}$，$R_1 = R_2 = 1\text{ k}\Omega$…
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• 105年 初等考試 第16題
  雙極性接面電晶體（BJT）之共基極電流增益 $\alpha = 0.98$，試問：其共射極電流增益 $\beta$ 為多少？
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• 105年 初等考試 第22題
  雙極性接面電晶體（BJT）在截止區（Cutoff Region）操作下，其偏壓施加方式為：
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